@misc{20.500.12880/5759,
year = {2023},
month = {7},
url = {https://hdl.handle.net/20.500.12880/5759},
abstract = {El silicio poroso posee una estructura llena de surcos que aumenta su
superficie, que además tiene una reactividad muy alta, y esto hace que sea
muy propensa a oxidarse; por ello en este trabajo se han obtenido muestras
de silicio poroso mediante anodización para lograr capas de óxido de diversas
características mediante la variación de parámetros experimentales. A continuación se han caracterizado mediante microscopía electrónica para tratar
de lograr un modelo que relacione la cantidad (en porcentaje atómico) de
oxígeno presente con los parámetros de fabricación del silicio poroso. Se han
obtenido resultados en muestras con antigüedad de un día y con antigüedad
de 15 días; la cantidad aumenta de forma bastante lineal en muestras con
más tiempo y presenta un máximo para amperajes de anodización bajos
en muestras más jóvenes. También se han realizado medidas mediante un
dispositivo construido para estudiar la conductividad eléctrica del óxido de
silicio, logrando ver corriente túnel y emisión por efecto de campo.},
title = {Estudio de la oxidación del silicio poroso y su relación con la conductividad eléctrica transversal},
keywords = {Semiconductores},
keywords = {Conducción túnel},
keywords = {Oxidación},
author = {Novelli Fernández, Laura Elena},
}